[0290] フラッシュメモリ

平成11年度秋期 (旧)第2情報処理技術者試験より
フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
格納しているデータを保持する処理が不要なメモリであり、データを速く読み出せるので、キャッシュメモリとしてよく用いられる。
紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
主記憶に広く使われており、記憶内容を保っておくためにデータの再書込みを常に行う必要がある。集積度が高く、記憶容量当たりのコストが安い。
バックアップ電源が不要で,電気的に全部又は一部分を消して内容を書き直せるメモリである。

正解

解説

 フラッシュメモリは、電源を切っても内容を保持できる不発揮性でありながら、電気的に何度でも記憶の消去・書き込みができるメモリです。電気的にデータの消去や読み書きを行うので、EEPROMの一種であるといえます。

 フラッシュメモリは、回路構成により大きく分けて NOR型NAND型に分類されます。

 NOR型は、1ビット単位での読み書きが可能であるため、高速なランダムアクセスが特徴です。ただし、その構造上、大容量化には向いていません。ハードディスクを搭載できないような携帯電話や PDA、カーナビゲーションシステムなどのプログラムコード格納用として利用されています。

 NAND型は、ある一定サイズのブロック単位でしか読み書きできませんが、省電力かつ大容量化を容易に実現できるのが特徴です。そのため、ファイルデータ保管などの用途に適しています。コンパクトフラッシュスマートメディアの記憶素子は、NAND型フラッシュメモリがよく利用されています。

 それでは選択肢をみていきましょう。


 格納しているデータを保持する処理が不要なメモリであり、データを速く読み出せるので、キャッシュメモリとしてよく用いられる。
SRAM に関する記述です。

 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
EPROM に関する記述です。

 主記憶に広く使われており、記憶内容を保っておくためにデータの再書込みを常に行う必要がある。集積度が高く、記憶容量当たりのコストが安い。
DRAM に関する記述です。

 バックアップ電源が不要で,電気的に全部又は一部分を消して内容を書き直せるメモリである。
フラッシュメモリ に関する記述です。


 以上より、エが正解となります。
※ 解説の内容は執筆時点のものであり,含まれている情報の正確性,妥当性について保証するものではありません。ご注意ください・・・

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